Nuevo material para memoria magnética controlada por luz

Unos científicos han logrado un avance inesperado hacia el desarrollo de una nueva memoria óptica capaz de almacenar datos digitales y de leerlos, con rapidez y gran eficiencia energética.

Mientras estudiaban un material complejo compuesto de manganeso, bismuto y telurio (MnBi2Te4), los investigadores se dieron cuenta de que las propiedades magnéticas del material cambiaban rápida y fácilmente en respuesta a la luz.

Esto significa que se podría utilizar un láser para codificar información dentro de los estados magnéticos del MnBi2Te4.

El hallazgo es obra de un equipo integrado, entre otros, por Shuolong Yang y Khanh Duy Nguyen, de la Escuela Pritzker de Ingeniería Molecular (PME) en la Universidad de Chicago, Estados Unidos.

Estos científicos también han averiguado cómo los electrones del MnBi2Te4 compiten entre dos estados opuestos: un estado topológico útil para codificar información cuántica y un estado sensible a la luz que es útil para el almacenamiento óptico.

En el pasado, el MnBi2Te4 fue estudiado por resultar prometedor como aislante topológico magnético, un material que se comporta como un aislante en su interior pero conduce la electricidad en sus superficies exteriores. Estas superficies convertidas en «autopistas de electrones» pueden codificar y transportar datos cuánticos.

Los autores del estudio han logrado avances inesperados hacia la creación de una nueva memoria óptica capaz de almacenar datos informáticos y de leerlos, con suma rapidez y gran eficiencia energética. (Ilustración: Peter Allen / Pritzker School of Molecular Engineering, University of Chicago)

Yang y sus colegas exponen los detalles técnicos de sus descubrimientos sobre el MnBi2Te4 en la revista académica Science Advances, bajo el título “Distinguishing Surface and Bulk Electromagnetism via Their Dynamics in an Intrinsic Magnetic Topological Insulator”. (Fuente: NCYT de Amazings)