Presentan la memoria flash más rápida del mundo

Investigadores de Fudan University revelan “Poxiao”, una memoria flash capaz de borrar y reescribir datos en solo 400 picosegundos. Este avance podría redefinir el futuro del almacenamiento y la computación en inteligencia artificial.

En un hito tecnológico sin precedentes, científicos chinos han presentado “Poxiao”, una memoria flash que supera en velocidad a cualquier sistema de almacenamiento conocido.

Con una capacidad de escritura y borrado 100.000 veces más rápida que la actual, este dispositivo del tamaño de un grano de arroz promete revolucionar el rendimiento de sistemas de inteligencia artificial y centros de datos.

¿Qué es Poxiao?

Un prototipo de memoria flash no volátil que logra velocidades de escritura y borrado en 400 picosegundos (un picosegundo = una billonésima de segundo).

Supera las limitaciones de velocidad de las memorias flash actuales, acercándose al rendimiento de memorias volátiles como DRAM, pero con persistencia de datos y menor consumo energético.

Aplicaciones potenciales

Centros de datos de alta demanda

Sistemas de IA con procesamiento en tiempo real

Dispositivos embebidos de próxima generación

Aunque el prototipo solo almacena kilobytes, su diseño ha sido publicado en la revista Nature, lo que valida su relevancia científica y abre la puerta a futuras versiones comerciales.